90nm世代に突入した半導体の微細パターン。
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特長
- 微細中空糸の透過膜により、現像液中の溶存ガスを高効率で除去します。
- チャンバ内の真空度を常に最適化。高い脱気能力を安定して発揮します。
- 独自の真空制御技術により、現像液TMAH濃度変化を最小限に抑えます。
- ダメージセンサを搭載し、経年劣化などによる膜の破損を検出します。
- 接液部はすべてメタルフリー。継手はスレッドレス。溶接接合なので液溜まりが発生しません。
原理としくみ
気体だけを拡散透過させる中空糸中に現像液を通し、その外側に設けたチャンバ内を負圧状態（-50～-70cmHg）に保持。
現像液中の溶存ガスは透過膜を通して気体濃度の低いチャンバに拡散脱気し、現像液だけが濃度を保ったまま中空糸を通過します。
脱気能力
真空度－溶存量の関係
● 目標値
初期溶存量 20mg/L
（エアー加圧値0.1MPa（1.0kgf/cm2）・20℃での飽和溶存量）
脱気後溶存量 4mg/L
（大気圧下・23℃のO2飽和溶存量の約50％）
流量 800mL/min（連続吐出）
● 評価方法
N2の溶存量測定は非常に困難なため、エアによる加圧方式に置き換え、O2の溶存量を測定する方法を代用。O2の溶存係数はN2の2倍強のため、より厳しい条件となります。
| 実験データ | |
|---|---|
| 溶存量初期値 | 0.2MPa（2kg/cm2）のエアで17時間連続加圧 9.9mg/L |
| 使用液 | NMD-W |
| 使用機種 | SK-80BW |
| 溶存酸素計 | UK-2000（セントラル化学） |
| 室温 | 23℃ |
| 流量 | 800mL/min |
| 脱気後溶存量目標値 | 4mg/L（O2） |
圧損－流量の関係
装置本体仕様
| 項目 | 単位 | |
|---|---|---|
| 型式 | - |
RDO-4M-DS |
| 脱気モジュール | - |
MJ-G101-DS（4本） |
| 電源 | V,W |
単相100V,50W |
| 標準流量 | L/h |
48（モジュール1本あたり） |
| 使用液温範囲 | ℃ |
35℃以下（凍結不可） |
| 最高使用圧力 | MPa（kg/cm2） |
0.2（2.0） |
| 常用圧力 | MPa（kg/cm2） |
0.17（1.7） |
| 圧力損失 | MPa（kg/cm2） |
0.035以下（0.35以下）*3 |
| 脱気性能（処理水溶存酸素濃） | ppm*1 |
2.5（原水DO 8μm、20℃、4.3kPa、48L/H） |
| 外形寸法*2 | mm |
W280×D500×H700 |
| 重量 | kg |
25 |
*1 純水通水時の値 *2 突起物は含まない *3 標準流量時
用力表
| 接続内容 | 供給条件 | 備考 | |
|---|---|---|---|
| 原水入口 | 8mm ピラーフィッティング |
0.2MPa以下 35℃以下 |
継手および配管は オプション |
| 処理水出口 | |||
| 凝縮水排水 | Rc3/8" |
||
| 真空ライン | Rc3/8" |
||
| 電源 | RM15QPS-4PA |
100V |
